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Fairchild产品 - NDT456P介绍

NDT456P - P沟道增强模式场效应晶体管

NDT456P是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，NDT456P是P沟道增强模式场效应晶体管，本站介绍了NDT456P的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与NDT456P相关的Fairchild元器件型号供参考。

NDT456P - P沟道增强模式场效应晶体管 - MOSFET - FET - 仙童半导体

NDT456P - 产品描述

功率SOTN沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的高密度DMOS技术生产。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。这些器件特别适用于笔记本电脑功率管理和DC电机控制等低电压应用。

NDT456P - 产品特性
  • 7.5 A，30 VRDS(ON) = 0.030 Ω @ VGS = -10 V RDS(ON) = 0.045 Ω @ VGS = -4.5 V
  • 高密度设计可实现极低的RDS(ON)
  • 高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • NDT456P - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了NDT456P相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    NDT456P量产符合RoHS标准截至2006年2月27日$1.91
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