这些N沟道逻辑电平功率MOSFET使用MegaFET工艺制造。这种工艺使用接近LSI集成电路的特征尺寸，优化了硅原料利用率，可以带来出色的性能。这些器件设计用于逻辑电平(5V)驱动源，适用于可编程控制器、车用开关、开关稳压器、开关转换器、电机继电器驱动器和双极晶体管发射极开关等应用。这种性能通过一个特殊的栅极氧化设计来实现，在栅极偏置范围为3V到5V时提供完整的额定电导，从而可以通过逻辑电路电源电压直接实现真正的开-关电源控制。以前的开发类型为TA09871。

• 16A, 50V
• rDS(ON)= 0.047Ω
• UIS SOA等级曲线（单脉冲）
• 针对5V栅极驱动优化的设计
• 可直接从CMOS、NMOS、TTL电路驱动
• 与车用驱动要求兼容
• SOA为有限功耗
• 纳秒开关速度
• 线性传递特性
• 高输入阻抗
• 多数载流子器件
• 相关文献
• TB334，“PC板焊接表面贴装元件的指南”

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• AC-DC商用电源-服务器和工作站
• 工作站
• 服务器和大型机

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
RFD16N05LSM9A	量产符合RoHS标准截至2006年2月27日	$0.4776

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