Fairchild(仙童半导体,ONSEMI安森美)产品型号搜索：
- FAN5640 - 双通道高端恒流源 LED 驱动器
- FDB2572 - N 沟道 PowerTrench MOSFET 150V，29A，54mΩ
- KSE45H - PNP外延硅晶体管
- FCA35N60 - N 沟道 SuperFET MOSFET 600V, 35A, 98mΩ
- FDMS7560S - 25V N沟道PowerTrench SyncFET
- FDMS7670 - 30V N沟道PowerTrench MOSFET
- P6KE43CA - 600W瞬态电压抑制二极管
- 1N5230B - 4.7V、0.5W齐纳二极管
- FMS6403 - 三通道视频驱动器w/可选HD/逐行/ SD/针对RGB和YPbPr信号的旁路滤波器
- SMBJ40CA - 600W瞬态电压抑制二极管
- BZX79C5V6 - 5.6V、0.5W齐纳二极管
- KA5M0365R - 用于 35 W 离线反激式转换器的 650 V 集成电源开关
- BZX84C5V6 - 5.6V、0.35W齐纳二极管
- 1V5KE27CA - 1500W瞬态电压抑制二极管
- P6KE7V5CA - 600W瞬态电压抑制二极管
- MM5Z12V - 齐纳二极管
- SMBJ11CA - 600W瞬态电压抑制二极管
- GBU8A - 8 A 桥式整流器
- KA2803B - 接地漏电检测器
- MM3Z5V6C - 5.6V 200mW 5%齐纳管，SOD323F
- 74LVTH2245 - 低压八路双向收发器带3态输入/输出，在B端口输出内带25 Ohm串联电阻
- FPF2164 - 带可调节限流的全功能负载开关
- P6KE11A - 600W瞬态电压抑制二极管
- 74VHCT04A - 六路反相器
- P6KE300A - 600W瞬态电压抑制二极管
- P6KE75A - 600W瞬态电压抑制二极管
- P6KE13CA - 600W瞬态电压抑制二极管
- FAN302UL - 初级端调节PWM控制器
- 1V5KE440A - 1500W瞬态电压抑制二极管
- FDPF12N50UT - N 沟道 UniFET Ultra FRFET MOSFET 500V，10A，800mΩ
- FSDM0465RE - 用于 48 W 离线反激式转换器的 650 V 集成电源开关
- 1V5KE91CA - 1500W瞬态电压抑制二极管
- FNB41560B2 - Motion SPM 45 系列
- FDMQ8403 - 100V N沟道PowerTrench MOSFET GreenBridge系列高效桥整流器
- 74LCX162374 - 低压16位D类触发器，带5V可耐受电压输入和输出，及26 Ohm串联电阻
- FMBS2383 - NPN外延硅晶体管
- PCFF75H60F - 整流器
- TN4033A - PNP通用放大器
- KSC2316 - NPN 外延硅晶体管
- 74LVTH374 - 低压八路D型触发器（带3态输出）
- 74LVX74 - 低压双通道D型正边沿触发式触发器
- FSBB30CH60C - Motion SPM 3 系列
- FSUSB31 - 低功率双SPST高速USB 2.0 (480 Mbps)开关
- FDC8884 - 30V N沟道PowerTrench MOSFET
- NC7SZ08 - TinyLogic UHS 2输入与门
- BAV99T - 快速开关二极管
- KSC5305DF - NPN芯片晶体管
- FDMS7650 - 30V N沟道PowerTrench MOSFET
- FQN1N50C - 500V N沟道QFET MOSFET
- FQD3N60CTM_WS - N 沟道 QFET MOSFET 600V，2.4A，3.4Ω
- FQP45N15V2 - N 沟道 QFET MOSFET 150V，45A，40mΩ
- FQH8N100C - N 沟道 QFET MOSFET 1000 V、8.0 A、1.45 Ω
- FQP4P40 - P 沟道 QFET MOSFET -400 V、-3.5 A、3.1Ω
- FQP55N10 - N 沟道 QFET MOSFET 100V，55A，26mΩ
- FQP3P20 - P 沟道 QFET MOSFET -200 V、-2.8 A、2.7Ω
- FQD4N20 - N 沟道 QFET MOSFET 200V，3A，1.4Ω
- FDT3N40 - N 沟道 UniFET MOSFET 400V，2A，3.4Ω
- FDT86102LZ - 100V N沟道PowerTrench MOSFET。
- FQD19N10 - N 沟道 QFET MOSFET 100V，15.6A，63mΩ
- FQPF30N06L - N 沟道 QFET MOSFET 60V，22.5A，52mΩ
- P6KE180CA - 600W瞬态电压抑制二极管
- NDT014L - N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
- FDP2710_F085 - 250 V、50 A、38 mΩ、TO-220N 沟道 PowerTrench
- 1V5KE130CA - 1500W瞬态电压抑制二极管
- 1V5KE220CA - 1500W瞬态电压抑制二极管
- FSBB20CH60 - Motion SPM 3 系列
- FGB3040CS_F085 - 430 V、19 A、1.6 V、300 mJ、D2PAK、电流感测EcoSPARK I、N 沟道点火 IGBT
- FDBL0240N100 - N-Channel PowerTrench MOSFET
- FAN4802 - CCM PFC + PWM 组合控制器
- FGD3440G2_F085 - 400 V、25 A、1.30 V、335 mJ、DPAKEcoSPARK II、N 沟道点火 IGBT
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