Fairchild(仙童半导体,ONSEMI安森美)产品型号搜索：
- EGP10B - 1.0A快速恢复整流器
- RS1JFA - 0.8 A、600 V 表面贴装快速恢复
- RURG3060CC - 60 A、600 V 超快速双二极管
- RUR1S1560S9A - 15 A、600 V 超快速二极管
- FFPF10UP20S - 10 A、200 V 超快速二极管
- RGF1J - 1.0A快速恢复整流器
- PZT3906 - PNP通用放大器
- LM7805A - 三端1A正压稳压器
- LM7815A - 三端1A正压稳压器
- FT8010 - 具有可配置延迟的复位定时器
- LM78L12A - 三端0.1A正压稳压器
- PN2907A - 60 V PNP 通用晶体管
- MC78L06A - 三端0.1A正压稳压器
- MM3Z3V0B - 3.0V 200mW 2%齐纳管，SOD323F
- FUSB1500 - 带电荷检测的USB2.0满速、低速收发器
- FMB2222A - NPN多芯片通用放大器
- SS12 - 肖特基势垒整流器为1.0A
- 74VHC541 - 八路缓冲器/线路驱动器（带3态输出）
- FQU17P06 - P 沟道 QFET MOSFET -60V，-12A，135mΩ
- FDMC8462 - 40V N沟道PowerTrench MOSFET
- HUF76407D3S - 60 V、11 A、107 mΩ、N 沟道逻辑电平 UltraFET 功率 MOSFET
- FGH20N60UFD - 600V，20A，场截止 IGBT
- MMBZ5246B - 16V 350mW 5%齐纳
- FSA66 - 低压UHS单通道SPST常开模拟开关
- FAN3214T_F085 - 双通道 4 A 高速，低端栅极驱动器
- FOD4216 - 任意相位无缓冲器三端双向可控硅开关驱动器
- FJX3008R - 带偏置电阻的 NPN 外延硅晶体管
- FGH80N60FD - 600 V 场截止 IGBT
- FAN5903 - 带旁通模式的降压转换器（用于3G/3.5G和4G PA）
- FGH50N6S2D - 600 V，SMPS II IGBT
- FJN3303R - 带偏置电阻的 NPN 外延硅晶体管
- KA79M05 - 可调式三端 0.5 A 负压稳压器
- BZX85C15 - 15V、1W齐纳二极管
- 1N5247B - 17V、0.5W齐纳二极管
- FDP80N06 - N 沟道 UniFET MOSFET 60 V、80 A、10 mΩ
- DFB2010 - 玻璃钝化桥式整流器
- H11G2M - 6引脚DIP高压光达林顿晶体管输出光电耦合器
- 1N5235B - 6.8V、0.5W齐纳二极管
- P6KE350CA - 600W瞬态电压抑制二极管
- GBU6K - 6 A 桥式整流器
- FDP7N50 - N 沟道 UniFET MOSFET 500 V、7 A、900 mΩ
- DF08S2 - 桥式整流器
- 74VHC161284 - IEEE 161284收发器
- BZX84C15 - 15V、0.35W齐纳二极管
- 74VHC4040 - 12级二进制计数器
- FJV4114R - 带偏置电阻的 PNP 外延硅晶体管
- FDD8882 - 30V N沟道PowerTrench MOSFET
- 1N5254B - 27V、0.5W齐纳二极管
- MOC211M - 8 引脚 SOIC 单通道光电晶体管输出光电耦合器
- MM74HC164 - 8位串进/并出移位寄存器
- NC7SP14 - 带施密特触发器输入的TinyLogic ULP反相器
- FSEZ1016A - 带有集成式 MOSFET 的初级端调节 PWM 控制器
- FDP42AN15A0 - N 沟道 Power Trench MOSFET 150 V、35 A、42 mΩ
- FDP5N60NZ - N 沟道 UniFET II MOSFET 600V, 4A, 2Ω
- FGH30N60LSD - 600V, 30A, PT IGBT
- GBPC1204 - 12 A 桥式整流器
- SMBJ70A - 600W瞬态电压抑制二极管
- FDC86244 - 150V N沟道Power Trench MOSFET
- NC7SP58 - TinyLogic ULP通用可配置2输入逻辑门
- P6KE56CA - 600W瞬态电压抑制二极管
- FDD16AN08A0 - N 沟道 PowerTrench MOSFET 75V，50A，16mΩ
- GBPC2510 - 25 A 桥式整流器
- NC7SB3157 - 低电压SPDT模拟开关或2:1复用器/解复用器总线开关
- 1N4737A - 7.5V、1W齐纳二极管
- FDD2582 - N沟道Power Trench MOSFET、150V、21A、0.066 Ohms
- BZX79C3V6 - 3.6V、0.5W齐纳二极管
- P6KE43A - 600W瞬态电压抑制二极管
- BZX84C9V1 - 9.1V、0.35W齐纳二极管
- 1N5261B - 齐纳二极管
- 74ACT138 - 1:8解码器/解复用器
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