Fairchild(仙童半导体,ONSEMI安森美)产品型号搜索：
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- FAN49101 - 2 A、1.8 MHz、TinyPower IC 降压-升压调节器
- FDMC2514SDC - N 沟道双 Cool 33 PowerTrench SyncFET
- BZX84C3V6 - 3.6V、0.35W齐纳二极管
- IRFM120A - 100V N沟道A-FET / IRFM120的替代器件
- FGB3245G2_F085 - 450 V、23 A、1.3 V、320 mJ、D2PAKEcoSPARK II、N 沟道点火 IGBT
- FGD3245G2_F085 - 450 V、23 A、1.3 V、320 mJ、DPAKEcoSPARK II、N 沟道点火 IGBT
- FSB50325AT - Motion SPM 5 系列
- FQPF9N90C - N 沟道 QFETMOSFET 200V，3A，1.4Ω
- FSBS3CH60 - Motion SPM 3 系列
- FSB50760SFS - Motion SPM 5 SuperFET 系列
- NDP7060 - N沟道增强模型场效应晶体管
- FJA4310 - NPN外延硅晶体管
- FDMS9409_F085 - N 沟道 PowerTrench MOSFET 40 V、65 A、3.2 mΩ
- FSA3031 - 带移动高清连接 (MHL) 功能和高速USB2.0的双通道开关
- KA431L - 可调式/2.5 V、0.5% 容差分流稳压器
- FUSB340 - USB 3.1 SuperSpeed 10 Gbps 开关。
- FDD6635 - 35V N沟道PowerTrench MOSFET
- FDMC610P - 12V P 沟道 PowerTrench MOSFET
- FSB50250AT - Motion SPM 5 系列
- NZT7053 - NPN达林顿晶体管
- FDS86252 - 150V N沟道Power Trench MOSFET
- FQPF33N10L - N 沟道 QFET MOSFET 100V，18A，52mΩ
- FSB50550ASE - Motion SPM 5 系列
- FQP47P06 - P 沟道 QFET MOSFET -60V，-47A，26mΩ
- LM7812A - 三端1A正压稳压器
- MMBT4354 - PNP通用放大器
- FQNL2N50B - N 沟道 QFET MOSFET 500V，0.35A，5.3Ω
- FCD9N60NTM - N 沟道 SupreMOS MOSFET 600V, 9A, 385mΩ
- KST56 - PNP外延硅晶体管
- FSA8008 - 音频插孔检测和配置开关
- MC7805E - 三端1A正压稳压器
- FDA69N25 - N 沟道 UniFET MOSFET 250V，69A，41mΩ
- FDB088N08 - N 沟道 PowerTrench MOSFET 75V, 85A, 8.8mΩ
- NZT45H8 - PNP功率放大器
- FPF1320 - 具有精确反向电流阻隔功能的IntelliMAX 双输入单输出高级功率开关
- FIN1049 - LVDS双线路驱动器，带双线路接收器
- FPF1039 - 低导通电阻、压摆率控制负载开关
- FCH099N60E - N 沟道 SuperFET II Easy-Drive MOSFET
- FDP8870_F085 - 30 V、156 A、3.4 mΩ、TO-220N 沟道 PowerTrench
- FJA4210 - PNP外延硅晶体管
- KA7553A - 高达 600 kHz 的 PWM 控制器可编程频率
- FDPC8014S - PowerTrench 功率级 25V 非对称双 N 沟道 MOSFET
- FDPF18N50T - N 沟道 UniFET MOSFET 500V，18A，265mΩ
- 74LCX112 - 低压双通道J-K负边沿触发触发器，带5V容许输入
- KST14 - NPN外延硅晶体管
- RURP1560_F085 - 600 V、15 A、1.24 V、TO-220（2 引脚）超快速整流器
- 1N5401 - 3.0A通用整流器
- FNA21012A - 1200V Motion SPM 2 系列
- MM74HC132 - 四通道2输入与非施密特触发器
- FDPF51N25RDTU - N 沟道 UniFET MOSFET 250 V，51 A，60 mΩ
- FS8G - 8 A 标准恢复表面贴装整流器
- FZT649 - NPN低饱和晶体管
- KSA708 - PNP外延硅晶体管
- FSB749 - PNP低饱和晶体管
- FMBA14 - NPN多芯片达灵顿晶体管
- FNB50560TD1 - Motion SPM 55 系列
- FDPF39N20TLDTU - N 沟道 UniFET MOSFET 200 V，39 A，66 mΩ
- FDP8860 - 30V N沟道PowerTrench MOSFET
- FDT457N - N沟道增强模型场效应晶体管
- FDMS3602AS - PowerTrench 功率级非对称双 N 沟道 MOSFET
- FDMS7658AS - 30V N沟道PowerTrench SyncFET
- FDMS7672AS - 30V N沟道PowerTrench SyncFET
- FDS6911 - 20V 双N沟道逻辑电平PowerTrench MOSFET
- FQD2N90 - N 沟道 QFET MOSFET 900V，1.7A，7.2Ω
- FDME820NZT - 20V N沟道PowerTrench MOSFET
- FQD17N08L - N 沟道 QFET MOSFET 80V，12.9A，100mΩ
- FQI4N80 - 800V N沟道QFET
- FQD5N50C - 500V N-Channel Advance QFET C-Series
- FQPF19N20 - N 沟道 QFET MOSFET 200V, 11.8A, 150mΩ
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