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FDB024N04AL7 - N 沟道 PowerTrench MOSFET 40V, 219A, 2.4mΩ
FDB024N04AL7是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDB024N04AL7是N 沟道 PowerTrench MOSFET 40V, 219A, 2.4mΩ，本站介绍了FDB024N04AL7的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDB024N04AL7相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDB024N04AL7 - N 沟道 PowerTrench MOSFET 40V, 219A, 2.4mΩ - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDB024N04AL7 - 产品描述
此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。
FDB024N04AL7 - 产品特性
- RDS(on) = 2.0mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 80A
- 快速开关速度
- 低栅极电荷，QG = 84nC（典型值）
- 高性能沟道技术可实现极低的 RDS(on)
- 高功率和高电流处理能力
- 符合 RoHS 标准
FDB024N04AL7 - 产品应用
- AC-DC商用电源-台式计算机
- AC-DC商用电源-服务器和工作站
- 其他数据处理
以下列出了FDB024N04AL7相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDB024N04AL7 | 量产-ROHS：截至2012年1月 | $2 |
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