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FDD5680 - N 沟道 PowerTrench MOSFET
FDD5680是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDD5680是N 沟道 PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDD5680的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDD5680相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDD5680 - N 沟道 PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDD5680 - 产品描述
此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大程度地降低导通阻抗并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。
FDD5680 - 产品特性
- 38 A，60 V
- RDS(on) = 0.021 Ω @ VGS = 10 V
- RDS(on) = 0.025 Ω @ VGS = 6 V
- 低栅极电荷（典型值33 nC）。
- 开关速度快。
- 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
FDD5680 - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了FDD5680相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDD5680 | 量产符合RoHS标准截至2006年2月27日 | $1.96 |
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