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Fairchild产品 - FDFM2N111介绍

FDFM2N111 - 20V集成式P沟道PowerTrench MOSFET和肖特基二极管

FDFM2N111是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET 集成肖特基器件产品，FDFM2N111是20V集成式P沟道PowerTrench MOSFET和肖特基二极管，本站介绍了FDFM2N111的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDFM2N111相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDFM2N111 - 20V集成式P沟道PowerTrench MOSFET和肖特基二极管 - MOSFET 集成肖特基器件 - FET - 仙童半导体

FDFM2N111 - 产品描述

FDFM2N111将飞兆半导体的PowerTrenchMOSFET技术所带来的卓越性能与正向压降非常低的肖特基势垒整流器融合在MicroFET封装中。

该器件专门设计为标准降压转换器的单封装解决方案。它具有带极低通态电阻的快速开关、低栅极电荷MOSFET。

FDFM2N111 - 产品特性
  • 4 A，20 V
  • RDS(ON) = 100 mΩ @ VGS = 4.5 V
  • RDS(ON) = 150 mΩ @ VGS = 2.5 V
  • 小型 - 0.8 毫米最大值 - 采用新封装 MicroFET 3×3 毫米
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDFM2N111 - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FDFM2N111相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDFM2N111量产-ROHS：截至2006年8月$0.363
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