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FDG1024NZ技术文档下载：
FDG1024NZ - 20V双N沟道PowerTrench MOSFET
FDG1024NZ是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDG1024NZ是20V双N沟道PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDG1024NZ的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDG1024NZ相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDG1024NZ - 20V双N沟道PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDG1024NZ - 产品描述
该双N和P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用飞兆半导体专有的高单元密度DMOS技术生产。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻而定制的。该器件特别为低电压应用设计，以替代双极数字晶体管和小信号MOSFET。由于不需要偏压电阻，该双通道数字FET可取代数个具有不同偏压电阻值的数字晶体管。
FDG1024NZ - 产品特性
- VGS = 4.5 V，ID = 1.2 A时，rDS(on) = 175 mO（最大值）
- VGS = 2.5 V，ID = 1.0 A时，rDS(on) = 215 mO（最大值）
- VGS = 1.8 V，ID = 0.9 A时，rDS(on) = 270 mO（最大值）
- VGS = 1.5 V，ID = 0.8 A时，rDS(on) = 389 mO（最大值）
- HBM静电放电保护等级为>2kV（注3）
- 极低电平的栅极驱动要求允许在 1.5 V 电路 (VGS(th) < 1 V) 中进行操作
- 非常小的封装尺寸SC70-6
- 符合RoHS标准
FDG1024NZ - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了FDG1024NZ相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDG1024NZ | 量产-ROHS：截至2010年12月 | $0.189 |
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