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Fairchild产品 - FDG6316P介绍

FDG6316P - P沟道1.8V额定PowerTrench MOSFET

FDG6316P是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDG6316P是P沟道1.8V额定PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDG6316P的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDG6316P相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDG6316P - P沟道1.8V额定PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDG6316P - 产品描述

此P沟道1.8V额定MOSFET采用飞兆半导体先进的低压PowerTrench工艺生产。它已针对电池的电源管理应用进行了优化。

FDG6316P - 产品特性
  • -0.7 A，-12 V。
  • RDS(ON) = 270 mΩ @ VGS = -4.5 V
  • RDS(ON) = 360 mΩ @ VGS = -2.5 V
  • RDS(ON) = 650 mΩ @ VGS = 1.8 V
  • 低栅极电荷
  • 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
  • 紧凑的工业标准SC70-6表面贴装封装
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDG6316P - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FDG6316P相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDG6316P量产-ROHS：截至2010年12月$0.205
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