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Fairchild产品 - FDMC6688P介绍

FDMC6688P - P 沟道 PowerTrench MOSFET

FDMC6688P是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDMC6688P是P 沟道 PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDMC6688P的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMC6688P相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDMC6688P - P 沟道 PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDMC6688P - 产品描述

此P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺已针对rDS(ON)、开关性能和稳固性进行了优化。

FDMC6688P - 产品特性
  • 最大值 rDS(on) = 6.5 mΩ（VGS = -4.5 V, ID = -14 A 时）
  • 最大值 rDS(on) = 9.8 mΩ（VGS = -2.5 V, ID = -11 A 时）
  • 最大值 rDS(on) = 20 mΩ（VGS = -1.8 V、ID = -9 A 时）
  • 高性能沟道技术可实现极低的 rDS(on)
  • 高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装
  • 无铅并符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDMC6688P - 产品应用
    以下列出了FDMC6688P相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDMC6688P量产-ROHS：截至2014年9月$0.3296
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