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FDMC6688P技术文档下载：
FDMC6688P - P 沟道 PowerTrench MOSFET
FDMC6688P是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDMC6688P是P 沟道 PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDMC6688P的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMC6688P相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDMC6688P - P 沟道 PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDMC6688P - 产品描述
此P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺已针对rDS(ON)、开关性能和稳固性进行了优化。
FDMC6688P - 产品特性
- 最大值 rDS(on) = 6.5 mΩ（VGS = -4.5 V, ID = -14 A 时）
- 最大值 rDS(on) = 9.8 mΩ（VGS = -2.5 V, ID = -11 A 时）
- 最大值 rDS(on) = 20 mΩ（VGS = -1.8 V、ID = -9 A 时）
- 高性能沟道技术可实现极低的 rDS(on)
- 高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装
- 无铅并符合 RoHS 标准
FDMC6688P - 产品应用
以下列出了FDMC6688P相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDMC6688P | 量产-ROHS：截至2014年9月 | $0.3296 |
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