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Fairchild产品 - FDME910PZT介绍

FDME910PZT - -20V P沟道PowerTrench MOSFET

FDME910PZT是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDME910PZT是-20V P沟道PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDME910PZT的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDME910PZT相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDME910PZT - -20V P沟道PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDME910PZT - 产品描述

该器件是专为蜂窝手机和其他超便携式应用中的电池充电或负载开关应用而设计的。包含一个具有低通态电阻的MOSFET和齐纳二极管防静电放电保护。MicroFET1.6x1.6薄型封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合开关和线性模式应用。

FDME910PZT - 产品特性
  • VGS = -4.5 V，ID = -8 A时，最大rDS(on) = 24mΩ
  • VGS = -2.5 V，ID = -7 A时，最大rDS(on) = 31mΩ
  • VGS = -1.8 V，ID = -6 A时，最大rDS(on) = 45mΩ
  • 薄型： 0.55 mm最大值，新的MicroFET 1.6x1.6薄型封装
  • HBM静电放电保护等级> 2kV典型值（注3）
  • 不含有卤化合物和氧化锑
  • 符合RoHS标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDME910PZT - 产品应用

    • 便携设备
    • 手机

    以下列出了FDME910PZT相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDME910PZT量产-ROHS：截至2011年7月$0.334
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