XSDrMOS系列是飞兆新一代经全面优化的超紧凑型集成式MOSFET加驱动器功率级解决方案，适用于高电流、高频同步降压DC-DC应用。FDMF6707V将一个驱动IC、两个功率MOSFET以及一个自举肖特基二极管集成到热性能增强型超紧凑6x6mmPQFN封装中。

通过集成驱动器和MOSFET动态性能、系统感抗和功率MOSFETRDS(ON)，对整个开关功率级进行了优化。XSDrMOS采用飞兆半导体公司的高性能PowerTrenchMOSFET技术，显著减少开关振铃，省去大多数降压转换器应用中使用的缓冲器电路。

死区时间和传播延迟缩短的新型驱动IC进一步增强了该器件的性能。一个内部12V至5V的线性调节器使FDMF6707V能从12V单电源供电。热报警功能对可能出现的过温情况进行报警。FDMF6707V还具有其他功能，比如：可提高轻负载效率的跳频模式(SMOD)以及与大量PWM控制器兼容的三态3VPWM输入。

高于93%的峰值效率 内部12V至5V线性稳压器 高电流处理能力： 50A 高性能PQFN铜片封装 三态3.3V PWM输入驱动器 跳频模式SMOD#（低侧门关断）输入 过温条件的热报警标志 驱动器输出禁用功能（DISB#引脚）) SMOD#输入和DISB#输入各自的内部上拉和下拉 用于获得边沿整齐的电压波形并减少振铃的飞兆半导体PowerTrench技术MOSFET 低端MOSFET中的飞兆SyncFET （集成肖特基二极管）技术 集成式自举肖特基二极管 击穿保护的自适应门驱动定时 欠压闭锁(UVLO) 优化后高达1MHz的开关频率 薄型SMD封装 飞兆绿色封装和ROHS认证 基于Intel 4.0 DrMOS标准

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

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具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDMF6707V	量产-ROHS：截至2011年5月	$2.48

FQU17P06 - P 沟道 QFET MOSFET -60V，-12A，135mΩ

FQP6N40C - N 沟道 QFET MOSFET 400V, 6A, 1Ω

NDS9407 - 单P沟道PowerTrench MOSFET

MMSZ5235B - 6.8V、0.5W齐纳二极管

FQPF5N40 - N 沟道 QFET MOSFET 400V, 3.0A, 1.6Ω

FDG6308P - 双P沟道1.8V规格PowerTrench MOSFET

H11F1M - 6引脚DIP双向模拟FET输出光电耦合器

1V5KE39A - 1500W瞬态电压抑制二极管

FDP032N08B - N 沟道 PowerTrench MOSFET 80 V、211 A、3.3 mΩ

FSDM0465RB - 用于 48 W 离线反激式转换器的 650 V 集成电源开关