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Fairchild产品 - FDN5630介绍

FDN5630 - 60V N沟道PowerTrench MOSFET

FDN5630是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDN5630是60V N沟道PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDN5630的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDN5630相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDN5630 - 60V N沟道PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDN5630 - 产品描述

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。这款MOSFET拥有较小的SOT23尺寸，可实现非常低的RDS(ON)。与其他具有同等RDS(ON)规格的MOSFET相比，利用飞兆的PowerTrench技术可实现更快的开关速度。这样一来，总体效率更高，所需的电路板空间更小。

FDN5630 - 产品特性
  • 1.7 A，60 V。 RDS(ON) = 0.100 Ω @ VGS = 10 V，RDS(ON) = 0.120 Ω @ VGS = 6 V。
  • 专门针对高频DC/DC转换器应用进行了优化。
  • 低栅极电荷。
  • 极快速开关
  • SuperSOT - 3能够以SOT23尺寸实现较低的RDS(ON)。
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDN5630 - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FDN5630相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDN5630量产-ROHS：截至2011年12月$0.363
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