UniFETTMMOSFET是飞兆半导体的高压MOSFET系列产品，基于平面条形和DMOS技术。该MOSFET产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。UniFETFRFETMOSFET体二极管的反向恢复性能通过寿命控制方式得到加强。其trr小于100nsec且反向dv/dt抗扰度为15V/nsec，而一般的平面MOSFET产品分别为200nsec以上和4.5V/nsec。因此，它在MOSFET体二极管性能具有重要作用的某些应用中可消除多余的元件，并提高系统的可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX及灯用电子镇流器。

• RDS(on) = 710mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 4.5A
• 低栅极电荷（典型值 18nC）
• 低 Crss（典型值 10pF）
• 100% 经过雪崩击穿测试
• 提高了 dv/dt 处理能力
• 符合 RoHS 标准

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDPF10N50FT	量产符合RoHS标准截至2006年2月27日	$1.03

• LM78M05 - 三端0.5A正压稳压器
• LM2901 - Quad Comparator
• FDS6994S - 双通道笔记本电源N沟道PowerTrench SyncFET
• FAN5405 - 符合USB规范的单体锂离子开关充电器（带USB-OTG升压调节器）
• 74LVX4245 - 带3态输出的8位双电源转换收发器
• 1N5262B - 齐纳二极管
• SI4542DY - 30V互补PowerTrench MOSFET
• FAN7083_GF085 - 625 V、0.4 A，带复位功能的单通道高端栅极驱动器
• FMMT449 - NPN低饱和晶体管
• FQT7N10LTF - N 沟道 QFET MOSFET 100V，1.7A，350mΩ