此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。这些MOSFET与其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比，具有更快的开关速度和更低的栅极电荷。因此，这是一款更易于驱动且更安全（在高频段也是如此）的MOSFET，可实现具有更高总效率的DC/DC电源设计。

• 7.6 A, 80 V.
• RDS(ON ) = 0.029 Ω @ VGS = 10 V
• RDS(ON) = 0.033 Ω @ VGS = 6 V.
• 低栅极电荷（典型值 34 nC）。
• 快速开关。
• 高性能沟道技术可实现极低的 RDS(ON)。
• 高功率和高电流处理性能。

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该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDS3580	量产-ROHS：截至2014年10月	$0.91

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