此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。这些MOSFET与其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比，具有更快的开关速度和更低的栅极电荷。因此，这是一款更易于驱动且更安全（在高频段也是如此）的MOSFET，可实现具有更高总效率的DC/DC电源设计。

• 7.6 A, 80 V.
• RDS(ON ) = 0.029 Ω @ VGS = 10 V
• RDS(ON) = 0.033 Ω @ VGS = 6 V.
• 低栅极电荷（典型值 34 nC）。
• 快速开关。
• 高性能沟道技术可实现极低的 RDS(ON)。
• 高功率和高电流处理性能。

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDS3580	量产-ROHS：截至2014年10月	$0.91

• FDD3690 - 100V N沟道PowerTrench MOSFET。
• 74AC245 - 带3态输入/输出的八通道双向收发器
• S3JB - 3 A、600 V 表面贴装整流器
• S3MB - 3 A、1000 V 表面贴装整流器
• SGS23N60UFD - 600V, PT IGBT
• RURG1520CC - 30 A、200 V 超快速双二极管
• FSL176MRT - 具有异常 OCP 功能的 650 V 集成电源开关，用于 70 W 离线反激式转换器
• KSC5502DT - NPN型三重扩散平面硅晶体管
• BC846 - NPN外延硅晶体管
• FAN6747 - 用于 65 KHz 反激式转换器的绿色模式 PWM 控制器，提供 2-级过流保护