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Fairchild产品 - FDT458P介绍

FDT458P - -30V P沟道PowerTrench MOSFET

FDT458P是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品,FDT458P是-30V P沟道PowerTrench MOSFET,本站介绍了FDT458P的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与FDT458P相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDT458P - -30V P沟道PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDT458P - 产品描述

该P沟道MOSFET特别为提高DC/DC转换器的整体效率而设计,采用同步或传统开关脉宽调制(PWM)控制器及电池充电器。比其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比,这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。

FDT458P - 产品特性
  • 3.4 A, -30 V
  • RDS(ON) = 130 mΩ @ VGS = 10 V
  • RDS(ON) = 200 mΩ @ VGS = 4.5 V
  • 快速开关速度
  • 低栅极电荷(2.5nC典型值)
  • 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
  • 采用广泛使用的表面贴装封装,具有高功率和高电流处理能力
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供,了解更多介绍请在本站下载技术文档
  • FDT458P - 产品应用

    该产品为通用产品,适用于很多不同应用。

    以下列出了FDT458P相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDT458P量产符合RoHS标准截至2006年2月27日$0.365
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