该器件专门设计为单封装解决方案，适合手机和其他超便携应用的电池充电开关。FDZ1905PZ采用飞兆先进的1.5VPowerTrench工艺和最新°低间距±WL-CSP封装工艺设计而成，具有两个共用漏极P沟道MOSFET，可提供双向电流，最大限度地减小了PCB空间和rS1S2(on)。先进的WL-CSPMOSFET彰显了封装技术的突破性进展，使该器件将卓越的传热特性、超薄型封装、低栅极电荷和低rS1S2(on)融合为一体。

• 最大 rS1S2(on) = 126mΩ（VGS = -4.5V，IS1S2 = -1A 时）
• 最大 rS1S2(on) = 141mΩ（VGS = -2.5V，IS1S2 = -1A 时）
• 最大 rS1S2(on) = 198mΩ（VGS = -1.8V，IS1S2 = -1A 时）
• 最大rS1S2(on) = 303mΩ（VGS = -1.5V，IS1S2 = -1A 时）
• 仅占1.5mm2的PCB空间，比2 x 2 BGA所占空间少50%
• 超薄封装： 安装至PCB时，高度小于0.65 mm
• 高功率和高电流处理能力
• HBM静电放电保护等级为>4kV（注3）
• 符合 RoHS 标准

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该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDZ1905PZ	量产-ROHS：截至2014年3月	$0.363

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