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Fairchild产品 - FDZ1905PZ介绍

FDZ1905PZ - -20V共用漏极P沟道1.5V额定PowerTrench WL-CSP MOSFET

FDZ1905PZ是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品,FDZ1905PZ是-20V共用漏极P沟道1.5V额定PowerTrench WL-CSP MOSFET,本站介绍了FDZ1905PZ的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与FDZ1905PZ相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDZ1905PZ - -20V共用漏极P沟道1.5V额定PowerTrench WL-CSP MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDZ1905PZ - 产品描述

该器件专门设计为单封装解决方案,适合手机和其他超便携应用的电池充电开关。FDZ1905PZ采用飞兆先进的1.5VPowerTrench工艺和最新°低间距±WL-CSP封装工艺设计而成,具有两个共用漏极P沟道MOSFET,可提供双向电流,最大限度地减小了PCB空间和rS1S2(on)。先进的WL-CSPMOSFET彰显了封装技术的突破性进展,使该器件将卓越的传热特性、超薄型封装、低栅极电荷和低rS1S2(on)融合为一体。

FDZ1905PZ - 产品特性
  • 最大 rS1S2(on) = 126mΩ(VGS = -4.5V,IS1S2 = -1A 时)
  • 最大 rS1S2(on) = 141mΩ(VGS = -2.5V,IS1S2 = -1A 时)
  • 最大 rS1S2(on) = 198mΩ(VGS = -1.8V,IS1S2 = -1A 时)
  • 最大rS1S2(on) = 303mΩ(VGS = -1.5V,IS1S2 = -1A 时)
  • 仅占1.5mm2的PCB空间,比2 x 2 BGA所占空间少50%
  • 超薄封装: 安装至PCB时,高度小于0.65 mm
  • 高功率和高电流处理能力
  • HBM静电放电保护等级为>4kV(注3)
  • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供,了解更多介绍请在本站下载技术文档
  • FDZ1905PZ - 产品应用

    该产品为通用产品,适用于很多不同应用。

    以下列出了FDZ1905PZ相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDZ1905PZ量产-ROHS:截至2014年3月$0.363
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