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Fairchild产品 - FQPF12N60C介绍

FQPF12N60C - N 沟道 QFET MOSFET 600 V、12 A、650 mΩ

FQPF12N60C是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FQPF12N60C是N 沟道 QFET MOSFET 600 V、12 A、650 mΩ，本站介绍了FQPF12N60C的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FQPF12N60C相关的Fairchild元器件型号供参考。

FQPF12N60C - N 沟道 QFET MOSFET 600 V、12 A、650 mΩ - MOSFET - FET - 仙童半导体

FQPF12N60C - 产品描述
不推荐新设计使用截至2013年10月30日

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形DMOS技术生产。这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。这些器件非常适合高效开关电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑的电子灯镇流器。

FQPF12N60C - 产品特性
  • 12 A、600 V、RDS(on) = 650 mΩ（最大值）@ VGS = 10 V、ID = 6 A
  • 低栅极电荷（典型值 48 nC)
  • 低 Crss（典型值 21 pF)
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FQPF12N60C - 产品应用
    以下列出了FQPF12N60C相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FQPF12N60C不推荐新设计使用截至2013年10月30日符合RoHS标准截至2006年2月27日FDPF12N60NZ
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