FSB52006S是MotionSPM5系列产品，基于快速恢复MOSFET（FRFET）技术，用作小功率电机驱动应用（如风扇和泵）的紧凑型逆变器解决方案。它由六个FRFETMOSFET产品和三个半桥栅极驱动HVIC组成。FSB52006S具有低电磁干扰(EMI)特性以及优化的开关速度。此外，由于它采用MOSFET作为电源开关，因此，它具有比IGBT功率模块更强的耐用性和更大的安全工作区(SOA)。该封装针对热性能和紧凑性进行了优化，以便用于空间有限的应用。FSB52006S是要求高能效、小型化以及低电磁干扰逆变器的最佳解决方案。

• 60V，RDS(ON).最大=80mΩ @ 25°C 三相FRFET逆变器，包括高压集成电路(HVIC)
• 三个独立负直流链路端子，实现逆变器电流感测应用
• 栅极驱动和欠压保护的HVIC
• 高电平有效接口，可用于 3.3V/5V 逻辑电平
• 针对低电磁干扰进行优化
• 1500Vrms/1min 的额定隔离电压。
• 表面贴装器件封装
• 湿度敏感等级(MSL) 3

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

• 运动控制-家用设备/工业电机

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FSB52006S	量产符合RoHS标准截至2006年2月27日	$7.53

• FDMC86570LET60 - N 沟道 Shielded Gate PowerTrench MOSFET
• RURP1560_F085 - 600 V、15 A、1.24 V、TO-220（2 引脚）超快速整流器
• MM3Z39VC - 39.0V 200mW 5%齐纳管，SOD323F
• FMS6364A - VoltagePlus 四通道SD和HD视频滤波驱动器
• BUZ11 - 50V、30A、40mΩ、N沟道Power MOSFET
• RURP860 - 8 A、600 V 超快速二极管
• KSB1366 - PNP外延硅晶体管
• KST5401 - PNP外延硅晶体管
• FCP16N60 - N 沟道 SuperFET MOSFET 600 V, 16 A, 260 mΩ
• FDMS4435BZ - P沟道PowerTrench MOSFET