FSFR1700 - 用于 200 W 半桥式谐振转换器的集成电源开关 (FPS)

FSFR系列包括高度集成的电源开关，专为高效率半桥谐振转换器而设计。该系列具有构建可靠而鲁棒的半桥谐振转换器所需的一切特性，可以简化设计、提高生产力、改进性能。FSFR系列将PowerMOSFET与快速恢复型体二极管、高侧栅极驱动电路、精确电流控制的振荡器、频率限制电路、软启动和内置保护功能整合在一起。高侧栅极驱动电路具有共模噪声消除能力，通过卓越的抗噪能力确保运行稳定。MOSFET的快速恢复体二极管可以提高异常工作条件下的可靠性，同时又能将反向恢复的影响降至最低。使用零电压开关(ZVS)技术可显著降低开关损耗并提高效率。ZVS还可显著降低开关噪声，允许使用小尺寸的电磁干扰(EMI)滤波器。

FSFR系列可用于各种谐振转换器拓扑，如串联谐振、并联谐振以及LLC谐振转换器。

• 为半桥谐振转换器拓扑提供了 50% 占空比的变频控制
• 通过零电压开关 (ZVS) 实现高效率
• 采用快速恢复类型体二极管的内部 UniFET (trr<160 ns)
• 为 MOSFET 优化的固定死区 (350 ns)
• 工作频率最高可达 300 kHz
• 在轻载条件下用于频率限制（可编程）的脉冲跳跃
• 使用控制引脚的远程开/关控制
• 保护功能：过压保护 (OVP)、过载保护 (OLP)、过流保护 (OCP)、异常过流保护 (AOCP)、内部热关断 (TSD)

• FNA41060B2 - Motion SPM 45 系列
• FDS4470 - 40V N沟道PowerTrench MOSFET
• FDC6327C - 双N和P沟道2.5V额定PowerTrench MOSFET
• FQU13N10L - N 沟道 QFET MOSFET 100V，10A，180mΩ
• FDT1600N10ALZ - N 沟道 PowerTrench MOSFET 100V, 5.6A, 160mΩ
• FFPF08S60SN - 8A, 600V, STEALTH II Diode
• FDPF12N50FT - N 沟道 UniFET FRFET MOSFET 500V，11.5A，700 mΩ
• LM350 - 可调式三端3A正压稳压器
• FNA22512A - 1200 V Motion SPM 2 系列
• BAY73 - 高电导快速二极管