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Fairchild产品 - HGT1S10N120BNS介绍

HGT1S10N120BNS - 1200 V NPT IGBT

HGT1S10N120BNS是Fairchild仙童半导体公司的一款分立式 IGBT产品，HGT1S10N120BNS是1200 V NPT IGBT，本站介绍了HGT1S10N120BNS的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与HGT1S10N120BNS相关的Fairchild元器件型号供参考。

HGT1S10N120BNS - 1200 V NPT IGBT - 分立式 IGBT - IGBT - 仙童半导体

HGT1S10N120BNS - 产品描述

HGT1S10N120BNST基于非穿通(NPT)IGBT设计。该IGBT非常适合许多工作频率中等，而低传导损耗又至关重要的高压开关应用，如UPS、太阳能逆变器、电机控制和电源。

HGT1S10N120BNS - 产品特性
  • 17 A、1200 V，TC = 110°C
  • 低饱和电压：V CE(sat) = 2.45 V，需 I C = 10 A
  • 典型下降时间。. . . . . . . . TJ= 150°C时为140ns
  • 短路额定值
  • 低传导损耗
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • HGT1S10N120BNS - 产品应用

    • 不间断电源

    以下列出了HGT1S10N120BNS相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    HGT1S10N120BNS不推荐新设计使用截至2013年12月13日符合RoHS标准截至2006年2月27日替代部件:FGB20N60SFFGH15T120SMD_F155HGT1S10N120BNS$2.6
    HGT1S10N120BNST量产符合RoHS标准截至2006年2月27日$2.55
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