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Fairchild产品 - RFD12N06RLESM介绍

RFD12N06RLESM - 60V、17A、71mΩ、N沟道UltraFET Power MOSFET

RFD12N06RLESM是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，RFD12N06RLESM是60V、17A、71mΩ、N沟道UltraFET Power MOSFET，本站介绍了RFD12N06RLESM的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与RFD12N06RLESM相关的Fairchild元器件型号供参考。

RFD12N06RLESM - 60V、17A、71mΩ、N沟道UltraFET Power MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

RFD12N06RLESM - 产品描述
RFD12N06RLESM - 产品特性
  • 超低导通电阻
  • rDS(ON) = 0.063, VGS = 10V
  • rDS(ON) = 0.071, VGS = 5V
  • 仿真模型
  • 温度补偿式PSPICE和SABERElectrical模型
  • SPICE和SABER热阻抗模型
  • 峰值电流与脉宽曲线
  • UIS额定值曲线
  • 开关时间与RGS曲线
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • RFD12N06RLESM - 产品应用

    • TBA

    以下列出了RFD12N06RLESM相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    RFD12N06RLESM9A量产符合RoHS标准截至2006年2月27日$0.3713
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