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Fairchild产品 - RFP12N10L介绍

RFP12N10L - 100V、12A、200mΩ、N沟道逻辑电平功率MOSFET

RFP12N10L是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，RFP12N10L是100V、12A、200mΩ、N沟道逻辑电平功率MOSFET，本站介绍了RFP12N10L的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与RFP12N10L相关的Fairchild元器件型号供参考。

RFP12N10L - 100V、12A、200mΩ、N沟道逻辑电平功率MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

RFP12N10L - 产品描述

这些N沟道加强模式硅栅极功率场效应晶体管设计用于逻辑电平(5V)驱动源，适合可编程控制器、车用开关和电磁阀驱动器等应用。这种性能通过一个特殊的栅极氧化设计来实现，在栅极偏置范围为3V到5V时提供完整的额定电导，从而可以通过逻辑电路电源电压直接实现真正的开-关电源控制。以前的开发类型为TA09526。

RFP12N10L - 产品特性
  • 12A, 100V
  • rDS(ON)= 0.200Ω
  • 针对5V栅极驱动优化的设计
  • 可直接从CMOS、NMOS、TTL电路驱动
  • 与车用驱动要求兼容
  • SOA为有限功耗
  • 纳秒开关速度
  • 线性传递特性
  • 高输入阻抗
  • 多数载流子器件
  • 相关文献
  • TB334，“PC板焊接表面贴装元件的指南”
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • RFP12N10L - 产品应用

    • 其他工业

    以下列出了RFP12N10L相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    RFP12N10L量产符合RoHS标准截至2006年2月27日$0.5998
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