Fairchild(仙童半导体,ONSEMI安森美)产品型号搜索：
- FQPF9P25 - P 沟道 QFET MOSFET -250 V、-6 A、620 mΩ
- NDC7003P - 双N和P沟道增强模式场效应晶体管
- RURD460S - 4 A、600 V 超快速二极管
- HUF75639S3 - 100 V、56 A、25 mΩ、N 沟道 UltraFET 功率 MOSFET
- FSUSB73 - 高速USB 2.0开关/多路复用器
- RS1AFA - 0.8 A、50 V 表面贴装快速恢复
- ISL9R860PF2 - 8 A、600 V STEALTH 二极管
- BUT11 - NPN芯片晶体管
- BU406 - NPN 外延硅晶体管
- H11F1M - 6引脚DIP双向模拟FET输出光电耦合器
- FST3126 - 4位总线开关
- FST3257 - 四2:1复用器/解复用器总线开关
- FSTD16211 - 支持电平转换的24位总线开关
- FSAM30SM60A - Motion SPM 2 系列
- FAN7390 - 625 V、3.3/5 V 输入逻辑兼容、4.5/4.5 A 灌电流/源电流，高低端栅极驱动
- ISL9V3040D_F085 - 400 V、17 A、1.58 V、300 mJ、DPAKEcoSPARK I、N 沟道点火 IGBT
- FSA3230 - 高速 USB2.0 / 移动高清连接（MHL），具有负摆幅音频
- 74VHC00 - 四路2输入NAND门
- MMBF170 - N沟道增强模型场效应晶体管
- RS1DFA - 0.8 A、200 V 表面贴装快速恢复
- ISL9V5036S3ST - 360 V、31 A、1.17 V、500 mJ、D2PAKEcoSPARK II、N 沟道点火 IGBT
- RS1MFA - 0.8 A、1000 V 表面贴装快速恢复
- NC7SV00 - TinyLogic ULP-A 2输入与非门
- ISL9V3040S_F085 - 400 V、17 A、1.58 V、300 mJ、D2PAKEcoSPARK I、N 沟道点火 IGBT
- ISL9V5045S3ST - 450 V、19 A、1.6 V、300 mJ、DPAKEcoSPARK I、N 沟道点火 IGBT
- RFP50N06 - 60V、50A、22mΩ、N沟道Power MOSFET
- BAV19 - 高电压通用二极管
- BAS16HT1G - 小信号二极管
- BAS19 - 通用高电压二极管
- 1N916B - 小信号二极管
- NZT660A - PNP低饱和晶体管
- BAS21 - 通用高电压二极管
- NZT651 - NPN电流驱动器晶体管
- BAS31 - 高电压通用二极管
- S1G - 1.0A通用整流器
- NZT560 - NPN低饱和晶体管
- NZT6715 - NPN通用放大器
- MPSA06 - NPN通用放大器
- NZT44H8 - NPN功率放大器
- BAV102 - 通用高电压二极管
- MMBT2907A - 60 V PNP 通用晶体管
- S1D - 1.0A通用整流器
- FSAM15SH60A - Motion SPM 2 系列
- FQPF5N60C - 600V N-Channel Advance QFET C-Series
- KSC5026M - NPN芯片晶体管
- FGH40T65SPD - 650V，40A 场截止沟道 IGBT
- FDS8813NZ - 30V N沟道PowerTrench MOSFET
- FDMS3008SDC - N 沟道双 Cool 56 PowerTrench SyncFET
- FDT86244 - 150V N沟道Power Trench MOSFET
- FDS6986AS - 30V双通道笔记本电源N沟道PowerTrench SyncFET
- FDS8449 - 40V N沟道PowerTrench MOSFET
- FDS6673BZ - -30V P沟道PowerTrench MOSFET
- FQD6N50C - N 沟道 QFET MOSFET 500V，4.5A，1.2Ω
- FQD12N20L - N 沟道 QFET MOSFET 200V, 9.0A, 280mΩ
- FDS6692A - 30V N沟道PowerTrench MOSFET
- FDZ391P - -20V P沟道1.5 V PowerTrench薄型WL-CSP MOSFET
- FQA38N30 - N 沟道 QFET MOSFET 300 V，38.4 A，85 mΩ
- FQD7N30 - 300V N沟道QFET
- FQB6N80 - N 沟道 QFET MOSFET 800V, 5.8A, 1.95Ω
- FDS6930A - 双N沟道、逻辑电平、Power Trench MOSFET
- FQPF16N25C - N 沟道 QFET MOSFET 250V, 15.6A, 270mΩ
- FQD10N20L - N 沟道 QFET MOSFET 200V, 7.6A, 380mΩ
- FQB8N60C - N 沟道 QFET MOSFET 600V，7.5A，1.2Ω
- FQB11P06 - P 沟道 QFET MOSFET -60V，-11.4A，175mΩ
- FQA46N15 - N 沟道 QFET MOSFET 150V，50A，42mΩ
- FDS8928A - 双N和P沟道增强模式场效应晶体管
- FQA65N20 - N 沟道 QFET MOSFET 200V, 65A, 32mΩ
- FDZ1905PZ - -20Ｖ共用漏极P沟道1.5V额定PowerTrench WL-CSP MOSFET
- FDS86540 - 60V N沟道PowerTrench MOSFET
- FDS8842NZ - 40V N沟道PowerTrench MOSFET
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