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- FQP3N60C - N 沟道 QFET MOSFET 600V,3A,3.4Ω
- MM5Z39V - 齐纳二极管
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- MM3Z20VC - 20.0V 200mW 5%齐纳管,SOD323F
- FSQ0565RQ - 支持准谐振运行的 650 V 集成电源开关,用于 60 W 离线反激式转换器
- FGH75N60SF - 600V,75A,场截止IGBT
- FDZ2040L - 集成式负载开关
- MMBZ5256B - 30V 350mW 5%齐纳
- KA5L0380R - 用于 35 W 离线反激式转换器的 800 V 集成电源开关
- MM5Z16V - 齐纳二极管
- 74LVT162244 - 带3态输入且输出中具有25 Ohm串联电阻的低电压16位缓冲器/线路驱动器
- FSQ211 - 用于 8 W 离线反激式转换器的 650 V 集成电源开关
- FSQ0365RN - 包含谷底开关控制的 650 V 集成电源开关,用于 19 W 离线反激式转换器
- FSBH0270NY_F116 - 用于 16 W 离线反激式转换器的 700 V 集成电源开关,100 kHz,提供通电/欠压保护
- FGH40N60SMD - 600 V、40 A、1.9 V、TO-247场截止 IGBT
- FSL116HR - 频率为 100 kHz 且具有可调电流限制的 650 V 集成电源开关,用于 14 W 离线反激式转换器
- FAN6754A - 用于 65 KHz 反激式转换器的绿色模式 PWM 控制器
- NC7SZ34 - 超高速缓冲器
- NC7SZ125 - 带3态输出的TinyLogic UHS缓冲器
- FDG6323L - 集成式负载开关
- FDC6326L - 集成式负载开关
- MOC3083M - 6引脚DIP 800V过零触发三端双向可控硅开关驱动器输出光电耦合器
- FDC6324L - 集成式负载开关
- MM3Z8V2B - 8.2V 200mW 2%齐纳管,SOD323F
- FJB3307D - 高压快速开关NPN功率晶体管
- BDX54C - PNP外延硅晶体管
- FDPF5N50NZU - N 沟道 UniFET II Ultra FRFET MOSFET 500V,4.2A,1.75Ω
- D44C8 - NPN功率放大器
- LM336Z25 - 2.49 V,2% 可编程分流调节器
- FAN73932 - 625 V,3.3/5 V 输入逻辑兼容、2.5/2.5 A 灌电流/源电流,具有固定死区时间和 SD 保护的半桥式栅极驱动
- FSB50450 - Motion SPM 5 系列
- FL73282 - 半桥栅极驱动器
- BS170 - N沟道增强模型场效应晶体管
- FDS6670AS - 30V N沟道PowerTrench SyncFET
- FDMS7656AS - 30V N沟道PowerTrench SyncFET
- FQU11P06 - P 沟道 QFET MOSFET -60V,-9.4A,185mΩ
- BDW93C - NPN外延硅晶体管
- FAN5646 - 带有单线式接口的可编程指示器 LED 闪烁器件
- FQPF32N20C - N 沟道 QFET MOSFET 200V,28A,82mΩ
- FDG312P - P沟道2.5V额定PowerTrench MOSFET
- TIP31C - NPN外延硅晶体管
- FCA20N60F - N 沟道 SuperFET FRFET MOSFET 600V, 20A, 190mΩ
- FIN1104 - LVDS 4端口高速中继器
- FQD2N60CTM - 分立式 MOSFET
- FQP4N80 - N 沟道 QFET MOSFET 800V,3.9A,3.6Ω
- FDS8880 - 30V、11.6A、10mΩ、N沟道PowerTrenchMOSFET
- FPF2281 - 过压保护负载开关
- KA1M0565R - 用于 60 W 离线反激式转换器的 650 V 集成电源开关
- PCG30N60A4W - 600V, 60A IGBT
- SS39 - 3.0A肖特基势垒整流器


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