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当前位置:仙童代理 > > 仙童半导体芯片(数据更新于2026年4月4日)
  • DF01M - 1.5A桥式整流器
  • FDA59N25 - N 沟道 UniFET MOSFET 250V,59A,49mΩ
  • FSB50660SF - Motion SPM 5 SuperFET 系列
  • FGH40N60SFD - 600V,40A,场截止 IGBT
  • FDS4897C - 40V双N & P沟道PowerTrench MOSFET
  • TIP31C - NPN外延硅晶体管
  • FDMS86568_F085 - 60 V、80 A、2.6 mΩ、Power56N 沟道 PowerTrench
  • MJD3055 - NPN外延硅晶体管
  • FQD30N06 - N 沟道 QFET MOSFET 60V,22.7A,45mΩ
  • FAN2103 - - 3 A,24 V 输入,集成同步降压调节器
  • P6KE350A - 600W瞬态电压抑制二极管
  • BCX70J - NPN外延硅晶体管
  • FNA25060 - 600 V Motion SPM 2 系列 600 V - 50 A 3 相
  • FSB50760SFT - Motion SPM 5 SuperFET 系列
  • IRF530A - 分立式 MOSFET
  • MMBT4401 - NPN通用放大器
  • 1N5261B - 齐纳二极管
  • HMHA2801A - 4 引脚半节距微型扁平光电晶体耦合器
  • HCPL0600 - 高速10 Mb/s逻辑栅极光耦合器
  • FAN3216T - TTL 输入、双通道反相输出、3 A 峰值灌电流、3 A 源电流低端栅极驱动器
  • FCPF260N65FL1 - N 沟道 SuperFET II FRFET MOSFET 650 V,15 A,260 mΩ
  • FDS4675 - 40V P沟道PowerTrench MOSFET
  • BDW93C - NPN外延硅晶体管
  • FAN4146 - 接地故障中断器
  • MJE180 - NPN外延硅晶体管
  • FDH300A - 高电导、低泄漏二极管
  • FSQ0165RN - 包含谷底开关控制的 650 V 集成电源开关,用于 13 W 离线反激式转换器
  • QSD124 - 塑料硅红外光电晶体管
  • KSA733 - PNP外延硅晶体管
  • NDT454P - P沟道增强模式场效应晶体管
  • FMB100 - NPN多芯片通用放大器
  • FDD16AN08A0 - N 沟道 PowerTrench MOSFET 75V,50A,16mΩ
  • FODM8801B - OptoHiT 系列,高温光电晶体管
  • KSH2955 - PNP外延硅晶体管
  • FCA47N60F - N 沟道 SuperFET FRFET MOSFET 600V, 47A, 73mΩ
  • FDG6318P - 双P沟道数字FET
  • FDLL333 - 小信号二极管
  • BS170 - N沟道增强模型场效应晶体管
  • FAN3268 - 低压18V PMOS-NMOS桥驱动器
  • FDB060AN08A0 - N 沟道 PowerTrench MOSFET 75V,80A,6mΩ
  • MMBT3904 - NPN通用放大器
  • 2N4858A - N 沟道 J-FET
  • FOD0721 - 高CMR,25 Mb/s逻辑门光电耦合器
  • FDD5690 - 60V N沟道PowerTrench MOSFET
  • MM74HC273 - 带清零功能的八通道D型触发器
  • FJV1845 - NPN外延硅晶体管
  • FDP8441 - N 沟道 PowerTrenchMOSFET 40 V、80 A、2.7 mΩ
  • FDP42AN15A0 - N 沟道 Power Trench MOSFET 150 V、35 A、42 mΩ
  • FDG8842CZ - Q1:30V/Q2: -25V互补PowerTrench MOSFET
  • FCPF13N60NT - N 沟道 SupreMOS MOSFET 600V, 13A, 258mΩ
  • FSB44104A - Motion SPM 45 LV 系列
  • FGA50S110P - 1100 V, 50 A,短路阳极 IGBT
  • FDS4470 - 40V N沟道PowerTrench MOSFET
  • LM336Z25 - 2.49 V,2% 可编程分流调节器
  • FDS6673BZ_F085 - -30 V、-14.5 A、7.8 mΩ、SO-8P 沟道 PowerTrench
  • MJD112 - NPN硅达林顿晶体管
  • FQB30N06L - N 沟道 QFET MOSFET 60V,32A,35mΩ
  • 1V5KE400A - 1500W瞬态电压抑制二极管
  • KSC5021 - NPN Silicon Transistor
  • RURG3060 - 30 A、600 V 超快速二极管
  • 承诺原装正品
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