
- FJL4215 - PNP外延硅晶体管
- FSB50825US - Motion SPM 5 系列
- HUF76639S_F085 - 100 V、51 A、23 mΩ、D2PAK、逻辑电平N 沟道 UltraFET
- FQPF65N06 - N 沟道 QFET MOSFET 60V,40A,16mΩ
- FDD9407_F085 - N 沟道 PowerTrench 40 V、100 A、2.0 mΩ
- FDMS86368_F085 - 80 V、80 A、3.7 mΩ、Power56N 沟道 PowerTrench
- FDBL86561_F085 - 60 V、300 A、0.85 mΩ、TO-LLN 沟道 PowerTrench
- NDB6060L - N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
- FSB50450US - Motion SPM 5 系列
- FJP13009 - 高压快速开关 NPN 功率晶体管
- HUF75321P3 - 55 V、35 A、34 mΩ、N 沟道 UltraFET 功率 MOSFET
- FDMC8010ET30 - N 沟道 PowerTrench MOSFET
- LM239A - Quad Comparator
- LM431SA - Adjustable/2.5V, 2% Tolerance Shunt Regulator
- ISL9R1560G_F085 - 600 V、15 A、1.8 V、TO-247(2 引脚)Stealth 整流器
- FCB20N60F_F085 - N 沟道 MOSFET 600V、20A、190mΩ,
- FGD3N60LSD - 600 V、3 A、1.2 V、DPAK平面型 IGBT
- FDD5612 - 60V N沟道PowerTrench MOSFET
- ISL9V2540S_F085 - 430 V、15 A、1.77 V、250 mJ、D2PAKEcoSPARK I、N 沟道点火 IGBT
- MMBTH11 - NPN RF晶体管
- FSBS15CH60 - Motion SPM 3 系列
- FQU8P10TU - 分立式 MOSFET
- LM339 - Quad Comparator
- FDB9406_F085 - 40 V、110 A、1.3 mΩ、D2PAKN 沟道 PowerTrench
- FAN5624 - 带单线式数字接口的 4 通道线性 LED 驱动器
- FDS9958_F085 - -60 V、-2.9 A、105 mΩ、SO-8双通道 P 沟道 PowerTrench
- KA431SL - 可调式/2.5 V、0.5% 容差分流稳压器
- 74VHCT240A - 八路缓冲器/线路驱动器(带3态输出)
- FDD2572_F085 - 150 V、29 A、45 mΩ、Dual DPAKN 沟道 PowerTrench
- FDC5661N_F085 - 60 V、4.3 A、38 mΩ、SSOT-6N 沟道 UltraFET
- FQU10N20C - N 沟道 QFET MOSFET 200V, 7.8A, 360mΩ
- ISL9R1560P_F085 - 600 V、15 A、1.65 V、TO-220(2 引脚)Stealth 整流器
- FDB9409_F085 - 车用 N 沟道 MOSFET 40 V, 80 A, 3.5 mΩ
- FDMC612PZ - -20V P沟道PowerTrench MOSFET
- BDX53C - NPN外延硅晶体管
- FSBB10CH120D - 1200 V Motion SPM 3 系列
- FDD5N50NZF - N 沟道 UniFET II FRFET MOSFET 500V,3.7A,1.75Ω
- FQU5N60C - N 沟道 QFET MOSFET 600V, 2.8A, 2.5Ω
- FSB50550AS - Motion SPM 5 系列
- FJP2145 - ESBC 额定NPN功率晶体管
- FDMC4435BZ - -30V P-Channel Power Trench MOSFET
- FDMC8296 - 30V N沟道PowerTrench MOSFET
- FSUSB45 - 高速USB2.0 (480Mbps)开关,带专用充电器端口检测
- FAN5701 - 带有 PWM 调光接口的 6-LED 驱动器
- FQU20N06L - N 沟道 QFET MOSFET 60V,17.2A,42mΩ
- BD136 - PNP外延硅晶体管
- FDD6296 - 30V N沟道快速开关PowerTrench MOSFET
- MMBZ5237B - 8.2V 350mW 5%齐纳管,ZENER
- MMBZ5239B - 8.7V 350mW 5%齐纳管,ZENER
- FGH40T65SHD - 650 V、40 A 场截止沟道 IGBT
- FSQ100 - 用于 8 W 离线反激式转换器的 650 V 集成电源开关
- KA5M0265R - 用于 25 W 离线反激式转换器的 650 V 集成电源开关
- FDMC3612 - 100V N沟道Power Trench MOSFET
- FDC8878 - 30V N沟道PowerTrench MOSFET
- PZTA29 - NPN达林顿晶体管
- FQT7N10LTF - N 沟道 QFET MOSFET 100V,1.7A,350mΩ
- FGB20N60S_F085 - 600 V、20 A、2.2 V、D2PAK场截止 IGBT
- FXMA2102 - 针对IC 应用的双电源 2 位电压转换器/缓冲器/中继器隔离器
- FGA25N120ANTD - 1200V,25A,NPT沟道IGBT
- FDC658P - 双P沟道逻辑电平PowerTrench MOSFET
- FQT4N25 - N 沟道 QFET MOSFET 250V, 0.83A, 1.75Ω
- HUFA76419D_F085 - 60 V、20 A、26.7 mΩ、Dual DPAKN 沟道 UltraFET
- FQU1N60C - N 沟道 QFET MOSFET 600V, 1A, 11.5Ω
- HCPL2631M - 高速10 Mb/s逻辑门光耦合器
- FGA50N100BNTD2 - 1000 V NPT 沟道 IGBT
- FAN6300H - 用于反激式转换器的绿色模式 QR PWM 控制器,频率高达 190 KHz
- FDC3612 - 100V N沟道PowerTrench MOSFET。
- SG6742W - 用于 65 KHz 反激式转换器的绿色模式 PWM 控制器
- FAN5333B - 可调节、带30V集成FET开关的1.6MHz升压调节器
- FSA2866 - 交叉点模拟开关


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