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仙童半导体芯片
(数据更新于2025年9月6日)
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DF10S1 - 桥式整流器
NDT014 - N沟道增强模型场效应晶体管
74VHC245 - 带 3 态输出的八通道双向收发器
FDMF3035 - 智能功率级(SPS)模块
FSV530AF - 肖特基势垒整流器
74LCX573 - 带5V容许输入和输出电压的低压八路锁存器
FQL40N50F - N 沟道 QFET MOSFET 500V,40A,110mΩ
FPF1048 - IntelliMAX 处理3A、控制压摆率负载开关,带真正的防电流倒灌功能。
RHRP860 - 8 A、600 V 超高速二极管
MBR4045PT - 40A肖特基势垒整流器
FNB40560 - Motion SPM 45 系列
FSL306LR - 包含误差放大器但不包含偏置绕组的 650 V 集成电源开关,用于 3 W 离线降压转换器
FDMS86350ET80 - 80V N沟道PowerTrench MOSFET
BZX79C16 - 16V、0.5W齐纳二极管
KA78L12A - 三端0.1A正压稳压器
FCD1300N80Z - N 沟道 SuperFET II MOSFET
CNY171M - 6 引脚 DIP 高 BV
CEO
光电晶体管输出光电耦合器
FSDM0465RE - 用于 48 W 离线反激式转换器的 650 V 集成电源开关
BZX79C4V7 - 4.7V、0.5W齐纳二极管
74LCXR2245 - 低压双向收发器在A和B端口都有5V容差输入和输出以及26 Ohm串联电阻
BD137 - NPN外延硅晶体管
MOC3022M - 6引脚DIP 400V任意相位三端双向可控硅开关驱动器输出光电耦合器
RHRP3060 - 30 A、600 V 超高速二极管
BAV103 - 通用高电压二极管
1N4454 - 高电导、超快速二极管
LM358 - 双路运算放大器
NDT2955 - P沟道增强模式场效应晶体管
1N914B - 高电导快速二极管
FQP12P10 - P 沟道 QFET MOSFET -100 V、-11.5 A、290 mΩ
FGH75T65UP_F085 - 650 V、75 A、1.69 V、TO-247场截止 IGBT
FDPF16N50UT - N 沟道 UniFET Ultra FRFET MOSFET 500V, 15A, 480mΩ
FDMS3624S - 25V PowerTrench 功率级
SG5842JA - 用于反激式转换器的绿色模式 PWM 控制器,可编程频率为 47 KHz ~ 109 KHz
MM74HC04 - 六路反相器
1N5257B - 33V、0.5W齐纳二极管
1N5404 - 3.0A通用整流器
QSE258 - 塑硅光电逻辑光电传感器
FIN1028 - 3.3V LVDS 2位高速差分接收器
FQD5P10 - P 沟道 QFET MOSFET -100V,-3.6A,1.05Ω
MMPQ2222A - NPN多芯片通用放大器
1V5KE30A - 1500W瞬态电压抑制二极管
SMCJ85A - 1500W瞬态电压抑制二极管
1N4736A - 6.8V、1W齐纳二极管
FQP13N50C - N 沟道 QFET MOSFET 500 V、13 A、480 mΩ
MOC217M - 8 引脚 SOIC 单通道光电晶体管输出光电耦合器
FQD13N06 - N 沟道 QFET MOSFET 60V,10A,140mΩ
1V5KE91A - 1500W瞬态电压抑制二极管
FDMC7672S - 30V N沟道Power Trench SyncFET
KA2807 - 接地漏电检测器
FQP3N50C - N 沟道 QFET MOSFET
GBU8B - 8 A 桥式整流器
GBU6A - 6 A 桥式整流器
FSUSB30 - 低功率2端口高速USB 2.0 (480 Mbps)开关
FGH40N120AN - 1200V, NPT IGBT
FCP22N60N - N 沟道 SupreMOS MOSFET 600V, 22A, 165mΩ
FDG330P - P沟道1.8V额定PowerTrench MOSFET
KST3904 - NPN外延硅晶体管
FFA40UP35S - 40 A、350 V 超快速二极管
74LCX16646 - 带5V容差输入和输出的低电压16位收发器/寄存器
FDMS7670AS - 30V N沟道PowerTrench SyncFET
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