Fairchild(仙童半导体,ONSEMI安森美)产品型号搜索：
- FQA90N15 - N 沟道 QFET MOSFET 150V，90A，18mΩ
- KA2903 - Dual Comparator
- FDMS7678 - 30V N沟道PowerTrench MOSFET
- TIP126 - PNP外延达林顿晶体管
- MMBF5458 - N沟道通用放大器
- FQB6N40C - N 沟道 QFET MOSFET 400 V、6 A、1.0 Ω
- FQD7N20L - 200V N沟道逻辑电平QFET
- FQA44N30 - N 沟道 QFET MOSFET 300V, 43.5A, 69mΩ
- FDT86256 - 150V N沟道PowerTrench MOSFET
- FDT459N - N沟道增强模型场效应晶体管
- FSA2259 - 低电压0.8ohm双通道SPDT模拟开关
- FAN5400 - 符合USB规范的单体锂离子开关充电器（带USB-OTG升压调节器）
- 1N486B - 通用低泄露二极管
- KSA539 - PNP外延硅晶体管
- MMPQ2907A - PNP多芯片的通用放大器
- KA7806E - 三端1A正压稳压器
- FIN1108 - LVDS 8端口高速中继器
- FIN1002 - 3.3V LVDS 1位高速差分接收器
- KA317 - 可调式三端 1.5 A 正压稳压器
- FDMF6820A - 超小型、高性能、高频DrMOS模块
- MMBT2369A - NPN开关晶体管
- FQPF11P06 - P 沟道 QFET MOSFET -60V, -8.6A, 175mΩ
- FDS4465 - P沟道1.8V额定PowerTrench MOSFET
- FDS3992 - 分立式商用N沟道PowerTrench MOSFET，100V，4.5A，0.062 Ohms @ VGS = 10V，SO-8封装
- MJD112 - NPN硅达林顿晶体管
- MJE3055T - NPN芯片晶体管
- FCD4N60 - N 沟道 SuperFET MOSFET 600V, 3.9A, 1.2Ω
- FCA36N60NF - N 沟道 SupreMOS FRFET MOSFET 600V, 34.9A, 95mΩ
- FDB060AN08A0 - N 沟道 PowerTrench MOSFET 75V，80A，6mΩ
- FCD2250N80Z - N 沟道 SuperFET II MOSFET 800 V, 2.6 A, 2.25 Ω
- FDG328P - P沟道2.5V额定PowerTrench MOSFET
- MJD44H11 - NPN外延硅晶体管
- MJE180 - NPN外延硅晶体管
- FCB20N60 - N 沟道 SuperFET MOSFET 600V, 20A, 190mΩ
- FCD620N60ZF - N 沟道 SuperFETII FRFET MOSFET 600V、7.3A、620mΩ
- FQL40N50 - 500V N沟道QFET
- MJD3055 - NPN外延硅晶体管
- FDZ191P - -20V P沟道1.5V额定PowerTrench WL-CSP MOSFET
- FAN3180 - TTL 输入、单通道同相输出、2.8 A 峰值灌电流、2.5 A 源电流及 3.3 V LDO 低端栅极驱动器
- KSH122 - NPN 硅达林顿晶体管
- FQB50N06LTM - N 沟道 QFET MOSFET 60V，52.4A，21mΩ
- FDMS3016DC - N 沟道 Dual Cool 56 PowerTrench MOSFET
- FDN537N - 30V单N沟道Power Trench MOSFET
- FCPF20N60 - N 沟道 SuperFET 600 V，20 A，190 mΩ
- FCPF11N60 - 600V N沟道SuperFET
- MJE200 - NPN外延硅晶体管
- FCH47N60NF - N 沟道 SupreMOS FRFET MOSFET 600V, 45.8A, 65mΩ
- FCH47N60 - N 沟道 SuperFET MOSFET 600V, 47A, 70mΩ
- FCH104N60F - N 沟道 SuperFETII FRFET MOSFET 600 V、37 A、104 mΩ
- FCH22N60N - N 沟道 SupreMOS MOSFET 600V, 22A, 165mΩ
- FQP2P40 - P 沟道 QFET MOSFET
- FCPF400N80Z - N 沟道 SuperFET II MOSFET
- FDS6576 - P沟道2.5V额定PowerTrench MOSFET
- FDS6680AS - 30V N沟道PowerTrench SyncFET
- FDS6675 - -30V单P沟道逻辑电平PowerTrench MOSFET
- FDS86106 - 100V N沟道Power Trench MOSFET
- FDS6990A - 双N沟道、逻辑电平、Power Trench MOSFET
- FQB12P20 - P 沟道 QFET MOSFET -200 V、-11.5 A、470 mΩ
- FQB4N80 - N 沟道 QFET MOSFET 800V，3.9A，3.6Ω
- FDN304PZ - P沟道1.8V额定PowerTrench MOSFET
- FDN327N - N沟道1.8Vgs额定PowerTrench MOSFET
- FQD4N25 - 250V N沟道MOSFET，QFET
- KSH45H11 - PNP外延硅晶体管
- MJD127 - PNP硅达林顿晶体管
- FDMS86200 - 150V N沟道Power Trench MOSFET
- FQD17P06 - P 沟道 QFET MOSFET -60V，-12A，135mΩ
- FCPF22N60NT - N 沟道 SupreMOS MOSFET 600V, 22A, 165mΩ
- FDMS86250 - 150V N沟道PowerTrench MOSFET
- FQA24N50 - N 沟道 QFET MOSFET 500 V，24 A，200 mΩ
- FQD5N15 - N 沟道 QFET MOSFET 150 V、4.3 A、800 mΩ
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